IT之家 12 月 17 日訊息，在於舊金山舉行的 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球晶圓代工巨頭臺積電公佈了其備受矚目的 2 奈米（N2）製程技術的更多細節，展示了該技術在效能、功耗和電晶體密度方面的顯著進步。
IT之家注意到，臺積電在會上重點介紹了其 2 奈米「奈米片（nanosheets）」技術。據介紹，相較於前代製程，N2 製程在效能上提升了 15%，功耗降低了高達 30%，能效顯著提升。此外，得益於環繞式柵極（GAA）奈米片電晶體和 N2 NanoFlex 技術的應用，電晶體密度也提高了 1.15 倍。N2 NanoFlex 技術允許製造商在最小的面積內整合不同的邏輯單元，進一步優化了製程的效能。
透過從傳統的 FinFET（鰭式場效應電晶體）技術過渡到專用的 N2「奈米片」技術，臺積電實現了對電流更有效的控制，使得製造商能夠根據不同的應用場景微調引數。奈米片技術採用堆疊的窄矽帶結構，每條矽帶都被柵極包圍，相比 FinFET 技術，能夠實現更精確的電流控制。
與 3 奈米及其衍生製程相比，臺積電的 N2 製程在效能上實現了顯著的提升。鑑於其明顯的代際改進，預計包括蘋果和英偉達在內的行業巨頭將大規模採用該製程。然而，伴隨效能提升的，是晶圓價格的上漲。據悉，N2 製程晶圓的價格將比 3 納米制程高出 10% 以上。
據估計，一片 N2 晶圓的價格可能在 2.5 萬至 3 萬美元之間，具體價格將取決於臺積電的最終定價。相比之下，3 奈米晶圓的價格約為 2 萬美元。考慮到初期良率和試生產等因素，N2 製程的初期產量將受到限制，意味著其普及速度在初期可能會相對緩慢。
